金升陽緊跟功率半導(dǎo)體市場動向,推出QAxx3D-2GR3(下文稱:QA-R3系列驅(qū)動電源),可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上,為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠、高效率的驅(qū)動電源方案。1)高可靠性保障
QA-R3系列驅(qū)動電源在變壓器設(shè)計上采用了獨特設(shè)計,通過增加原副邊爬電距離,使得電氣間隙滿足14.5mm的安規(guī)要求,隔離電容3.5pF,隔離電壓達到5000VAC(基于EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求);產(chǎn)品采用加強絕緣設(shè)計,極大提高了可靠性。
該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求,通過EN62368認證(認證中),符合UL62368設(shè)計要求;高可靠的設(shè)計保證其可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上,為IGBT/SiC MOSFET的驅(qū)動器提供高可靠的驅(qū)動電源方案。
2)效率高達88%
采用獨特電路設(shè)計方案,在電路設(shè)計上,減小了原副邊漏感的影響,極大地提升產(chǎn)品效率,使得產(chǎn)品效率高達88%,處于行業(yè)領(lǐng)先地位。
3)單路2.4W輸出功率,雙通道輸出,設(shè)計更靈活
采用雙通道輸出設(shè)計,單路輸出功率可達到2.4W,兩通道之間滿足加強絕緣要求(5000VAC隔離),有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設(shè)計更加靈活。HIRSCHMANN RAIL SWITCH RS20-1600T1T1SD?A NIB
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